从2021MWC看存储器发展 走向更快更耐用

在2020年里受到疫情影响,全球范围内不知撤销了多少个重要展会,众多科技产品只能通过线上方式与消费者见面。不过随着疫情缓和,展会得以重新召开,最近几天2021 MWC Shanghai正在密锣紧鼓进行中。MWC是一个以通讯设备为核心展会,但通讯离不开存储器支持,随着5G网络普及,带动了硬件设备更新换代,需要速度更快、耐用性更好的存储器。

从2021MWC看存储器发展 走向更快更耐用

今天存储器市场已经是闪存的主场了,对于追求便携性的智能手机、平板电脑来说,闪存更是占据了垄断地位。在2021MWC上一大亮点是5G毫米波技术,相比目前国内常用的Sub-6GHz频段,5G毫米波现场速度实测达到了4Gbps以上,是目前国内常用的Sub-6GHz频段10倍以上,其普及相信有助于带动高帧率4K视频以及8K视频实用化。

从2021MWC看存储器发展 走向更快更耐用

高帧率4K视频、8K视频码率更高,需要更高性能存储器支撑,在去年业界已经开始供应高性能闪存。比如西部数据iNAND MC EU521,它的设计可优化5G手机和平板电脑的体验,是一款使用UFS 3.1(Gear 4/2 Lanes)接口的产品,支持全双工传输,应用了WriteBooster和第六代SmartSLC技术,大大提升了顺序写入速度,达到了800MB/s。同时它封装大小仅为11.5x13x1.0mm,提供128GB、256GB两种容量,能很好满足旗舰手机需求。

从2021MWC看存储器发展 走向更快更耐用

手机只是其中一个受5G普及影响的设备,不少物联网设备也在5G网络带动下发展,需要更高性能以及更具可靠性的存储器,比如监控摄像头、路由器。

从2021MWC看存储器发展 走向更快更耐用

为此西部数据也有对应产品,iNAND IX EM132是西部数据首款面向工业与物联网应用的e.MMC嵌入式闪存盘,它采用了 64 层 BiCS3 3D TLC NAND闪存颗粒与自家的主控方案,采用eMMC 5.1 HS400 接口,顺序读取/写入速度达到了310MB/s、150MB/s,支持高级ECC纠错、磨损均衡、坏块管理、以及重放保护存储块(RPMB)一系列提升可靠性的功能,全系列寿命达到了693 TBW,是普通家用512GB SSD两倍多。

从2021MWC看存储器发展 走向更快更耐用

手机、平板电脑、路由器、基站已是MWC上常见的产品了,但随着车联网、自动驾驶技术发展,汽车与通讯技术紧密结合在一起,高通展台上就出现了一辆理想One。

从2021MWC看存储器发展 走向更快更耐用

在车联网、自动驾驶技术驱动下,车辆计算能力大幅度提升,尤其是后者对算力、IO性能、存储器性能提出很高要求。比如说特斯拉Model 3,实现增强版自动辅助驾驶(EAP)功能时需要调用车辆上8个摄像头,会产生大量需要实时处理的数据,需要更强处理器,更大容量、更快的存储器。与此同时,自动驾驶技术发展非常迅速,以车载传感器为例,市场研究公司Yole Developpement在《2020年自动驾驶传感器报告》中预测,车载传感器在未来15年间将以51%年复合成长率增长,将会带动车载存储器飞速发展。

在蓬勃发展车联网、自动驾驶技术前,西部数据自然不会甘居人后,在去年底拿出基于SLC颗粒的IX SN530。在PC市场,SLC SSD已经是一种堪比大熊猫的存在,但其出色可靠性、耐用性仍受到工业、车载市场青睐,而后面二者可承受的价格也远高于PC市场。IX SN530提供了M.2 2280、M.2 2230两种规格产品,长度分别是80mm、30mm,支持PCIe 3.0 x4、NVMe 1.4技术,同时提供SLC、TLC不同颗粒版本,其中SLC版有85GB、170GB、340GB三种容量,最高读写速度分别为2,400MB/s、1,950MB/s,而TLC拥有和SLC几乎相当的最高读写速度,持续写速度也可达最高540MB/s。在寿命方面,SLC版非常惊人,最高容量340GB寿命达到了24000TBW,而TLC最高容量2TB寿命为5200TBW。

从2021MWC看存储器发展 走向更快更耐用

除了性能、寿命外,车载环境更为恶劣,人们可能驾车登上海拔达到5000多米的珠峰大本营,也可能驶向雪乡,经历零下四五十摄氏度低温。西部数据IX SN530非常强调环境适应能力,可在-40℃到85℃的温度范围以及-460米到12200米的海拔间正常工作,能够承受20g震动或是1500G的冲击,在55℃高温能保障数据安全存储1年,平均故障间隔时间长达300万小时,还具备端到端数据保护、3-gear LDPC纠错引擎、NAND XOR保护多重页面恢复、自动数据刷新等一系列技术。

除了持续推出新品,西部数据还非常注重闪存芯片,在今年2月初与合作伙伴铠侠联合研发出第六代162层3D闪存技术,得益于八层交错式存储孔阵列,其横向单元阵列密度比第五代技术提高了约10%,比112层堆叠技术相比,实现相同容量减少40%面积,进一步优化了成本,加上阵列CMOS电路布局和四路同时操作,读取延迟减少约10%,I/O性能也提高了约66%。

从2021MWC看存储器发展 走向更快更耐用

在MWC上我们看到业界积极拥抱5G毫米波、车联网、自动驾驶等新技术,这些技术应用势必会提升基础硬件进步,市场不仅需要更高性能的处理器,而且对储存器要求变得越来越高,除了高性能、高容量外,长寿命、高可靠性、高耐用度也变得越发重要,而且我们也期待西部数据的一系列的产品及应用解决方案能满足各类行业的需求,来帮助各个领域提升效率,加快技术更新和发展。

(免责声明:本网站内容主要来自原创、合作伙伴供稿和第三方自媒体作者投稿,凡在本网站出现的信息,均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性,但不保证有关资料的准确性及可靠性,读者在使用前请进一步核实,并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏,概不负任何法律责任。
任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时,应及时向本网站提出书面权利通知或不实情况说明,并提供身份证明、权属证明及详细侵权或不实情况证明。本网站在收到上述法律文件后,将会依法尽快联系相关文章源头核实,沟通删除相关内容或断开相关链接。 )