12月11日消息,据国外媒体报道,芯片巨头英特尔在10nm和7nm工艺方面,并未跟上竞争对手的节奏,其目前在芯片工艺方面也落后于台积电和三星。
不过在10nm和7nm方面落后于竞争对手的英特尔,对未来还是有着清晰的计划,其在未来10年的技术路线图已经被披露,将保持两年一次升级的节奏。
英特尔未来十年的技术路线图,是由光刻机厂商阿斯麦的首席技术官Martin van den Brink在国际电子器件大会上披露的,由IEEE(电气和电子工程师协会)所举办的这一大会在本周举行。
阿斯麦所披露的英特尔未来十年技术路线图显示,英特尔今年将开始采用10nm工艺,2020年是10++工艺,2021年则会推出10nm+++工艺。
10nm之后的7nm工艺将在2021年开始采用,7nm+和7nm++则会在随后的两年分别推出。对于7nm工艺,英特尔首席工程官兼技术、系统架构和客户部门总裁默西·伦杜琴塔拉(MurthyRenduchintala)在去年12月份曾透露,这一工艺是由一个独立的团队负责,他们将汲取在10nm工艺上的教训,打算按内部最初的计划量产7nm工艺,他们对7nm工艺的进展也非常满意。
技术路线图显示,7nm之后更先进的5nm、3nm、2nm和1.4nm,也已进入了英特尔的视野,其中5nm、3nm和2nm目前都处在路线发现阶段,分别计划在2023年、2025年和2027年采用,2029年拟推出的是1.4nm。
同10nm和7nm工艺一样,5nm、3nm和2nm工艺也会有升级版,将分别推出“+”和“++”工艺,均会在随后的两年推出。
就从ASML披露的技术路线图来看,在10nm和7nm工艺方面落后于台积电的英特尔,5nm和3nm工艺的采用时间,也将晚于台积电。台积电5nm工艺的良品率目前已经提升到了50%,预计明年一季度量产,3nm则是计划在2022年量产,均要早于英特尔3年。
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