三星电子拟投资8万亿韩元在平泽建NAND闪存生产线

6月2日消息，据国外媒体报道，三星电子日前表示，计划投资8万亿韩元（约合人民币466亿元）在韩国平泽工业园区建NAND闪存生产线。

三星电子

生产线建设上月已经开始，预计2021年下半年开始生产三星最先进的V-NAND产品。

三星电子表示，此次投资旨在应对随着人工智能、物联网等第四次工业革命，以及5G普及而来的NAND需求。

上月，三星电子还透露，已在平泽投资建设生产线，新产线专注于基于极紫外光刻（EUV）技术的5nm、及以下制程。新产线已开始建设，预计明年下半年开始量产5nm芯片。

三星电子表示，加上平泽生产线，韩国将拥有7条芯片制造产线。

三星电子去年4月曾提出“半导体愿景2030”，计划到2030年对系统芯片研发和生产技术领域投资133万亿韩元（约合人民币7658亿元）。

生成海报

免责声明：本网站内容主要来自原创、合作伙伴供稿和第三方自媒体作者投稿，凡在本网站出现的信息，均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性，但不保证有关资料的准确性及可靠性，读者在使用前请进一步核实，并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏，概不负任何法律责任。任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时，应及时向本网站提出书面权利通知或不实情况说明，并提供身份证明、权属证明及详细侵权或不实情况证明。本网站在收到上述法律文件后，将会依法尽快联系相关文章源头核实，沟通删除相关内容或断开相关链接。