4月25日消息,近期国星光电正式推出一系列第三代半导体新产品,新产品可以分为3大产品系列,包括:SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模块。
●SiC功率器件
国星光电SiC功率器件小而轻便,反向恢复快、抗浪涌能力强、雪崩耐压高,拥有优越的性能与极高的工作效率。目前该领域已形成了2条SiC功率器件拳头产品线:SiC-MOSFET、SiC-SBD;拥有4种封装结构(TO-247、TO-220、TO-263、TO-252);可广泛应用于大功率电源、充电桩等工业领域。
●GaN-DFN器件
国星光电的GaN-DFN器件具有更高的临界电场、出色导通电阻、更低的电容等优势,使其尤适用于功率半导体器件,降低节能和系统总成本的同时,工作频率更高,具有极高的功率密度和系统效率,可极大地提升充电器、开关电源等应用的充电效率,广泛应用于新能源汽车充电、手机快充等。
●功率模块
国星光电第三代半导体功率模块,采用自主创新的架构及双面高效散热设计,具有优越的电性能和热性能,杂散电感低、转换效率高、轻载损耗小等优势,其功率密度大,产品体型小,可广泛应用于各种变频器、逆变器的工业领域,满足系统开发人员对空间的严格要求。模块产品可根据特殊功能需求进行模块化定制开发。
据悉佛山市国星光电股份有限公司是广东广晟旗下专业从事研发、生产、销售LED及LED应用产品的国家高新技术企业,国星光电建于1969年,1976年开始涉足LED封装,是国内最早生产LED的企业之一,国内第一家以LED为主业首发上市的企业,国内率先实现LED全产业链整合的企业,也是国内最大的LED生产制造企业之一,也是全球LED封装行业龙头企业之一。近年,公司位列全球LED封装企业营收TOP8(IHS Markit)。
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