三星电子代工7纳米工艺投产

10月18日,三星电子宣布:已成功开发晶圆代工7纳米工艺(7mm,Low Power Plus),该工艺采用了极紫外光刻技术(EUV,Extreme Ultra Violet),并已投入生产。

半导体加工的精细工艺是在晶圆上罩上刻有电路的掩膜,用特定光源透过掩膜上投射在晶圆上,因此称为曝光工艺或光刻工艺。由于受到晶圆大小的限制,半导体需要通过不断提高电路蚀刻的精细程度,以实现提高性能、降低能耗。

此次三星电子的7纳米工艺(7LPP)相比10LPE的面积减少了40%,性能提升20%,耗电减少50%,消耗的掩膜也减少了20%,因此,采用7纳米工艺(7LPP)的客户可以减轻设计和费用方面的负担。除此之外,三星电子首次将7LPP工艺运用于EUV技术的晶圆代工,以此为始正式推进7纳米工艺的商业化,也为实现3纳米芯片级别的精细加工工艺打下了基础。

随着半导体精细工艺的发展,之前一般使用多次曝光进行多重成像(multi patterning),从而实现精细度更高的电路成像,但近来晶圆的大小开始低于10纳米,原有的ArF(氟化氩)光刻工艺到达了极限。三星宣布采用的极紫外光刻(EUV)技术,光源波长不及氟化氩(ArF)波长的十四分之一,适合精细度更高的半导体电路成像,不仅可以减少复杂的多重成像制程,还能确保半导体的高性能和产能。

虽然极紫外光刻(EUV)的光源可以解决现有工艺的极限,但实际运用于量产还需要开发全新的生产设备,并构建相应的基础设施。三星电子早在2000年开始着手研究极紫外光刻(EUV)技术,与设备企业和生态系统合作商加强合作、紧密联系,致力于提高技术稳定和保证产能。

同时,三星电子还自主开发了提前鉴别掩膜缺陷的检查设备,以确保极紫外光刻(EUV)曝光工艺不受掩膜的影响。由于极紫外光刻(EUV)曝光设备的体积和重量较现有工艺所需设备大幅增加,三星电子在华城厂区正在建设开发可以大量容纳极紫外光刻(EUV)曝光设备的高新生产线,计划将于2019年底竣工。

三星电子代工7纳米工艺投产

(华城厂区竣工后效果图)

三星电子晶圆代工事业部战略市场部部长、副社长裵永昌表示,极紫外光技术的商用不仅能改变传统半导体的制造方式,还能为客户提供多方面的益处,例如,减少工艺步骤,提高良率,由此大大缩短产品的制作周期。他表示,7纳米工艺(7LPP)不仅可以应用于移动设备和HPC的生产,在数据中心、电装、5G、AI等更大范围内也有望成为不二之选。

ASML公司市场战略领导彼得·詹金斯(Peter Jenkins)表示,极紫外光刻(EUV)技术商业化不仅对半导体行业有重要意义,甚至能给我们的日常生活带来巨大的变化,能与三星电子这样的领头羊企业共同创造历史性的成果,感到非常开心。

三星电子的晶圆代工生态系统项目SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem)已经为7纳米工艺(7LPP)生产做好了准备。三星电子计划携手全球各地的合作伙伴,提供设计和检验工具,以及多种IP和设计服务等,让客户最大限度地利用三星电子的高超工艺和生产基础设施。三星电子也期望为客户积极提供采用极紫外光刻(EUV)技术的7纳米晶圆代工工艺,让客户减少在设计上投入的费用和时间,尽快开发出高性能、低耗电、超小型的尖端半导体产品。

此外,三星电子在本月18日,继美国、中国、韩国、日本之后,将在德国慕尼黑举办晶圆代工论坛,面向欧洲地区的客户和合作商发表尖端工艺发展规划,其中会详细介绍7纳米工艺。

极客网企业会员

免责声明:本网站内容主要来自原创、合作伙伴供稿和第三方自媒体作者投稿,凡在本网站出现的信息,均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性,但不保证有关资料的准确性及可靠性,读者在使用前请进一步核实,并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏,概不负任何法律责任。任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时,应及时向本网站提出书面权利通知或不实情况说明,并提供身份证明、权属证明及详细侵权或不实情况证明。本网站在收到上述法律文件后,将会依法尽快联系相关文章源头核实,沟通删除相关内容或断开相关链接。

2018-10-18
三星电子代工7纳米工艺投产
10月18日,三星电子宣布:已成功开发晶圆代工7纳米工艺(7mm,Low Power Plus),该工艺采用了极紫外光刻技术(EUV,Extreme Ultra

长按扫码 阅读全文