工信部:持续推进工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展

据工信部网站发布的消息,工信部日前复函政协十三届全国委员会第二次会议第2282号(公交邮电类256号)提案表示,将持续推进工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展,根据产业发展形势,调整完善政策实施细则,更好的支持产业发展。

通过行业协会等加大产业链合作力度,深入推进产学研用协同,促进我国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业的技术迭代和应用推广。

工信部称,集成电路是高度国际化、市场化的产业,资源整合、国际合作是快速提升产业发展能力的重要途径。工信部与相关部门积极支持国内企业、高校、研究院所与先进发达国家加强交流合作。引进国外先进技术和研发团队,推动包括工业半导体芯片、器件等领域国际专家来华交流,支持海外高层次产业人才来华发展,提升我国在工业半导体芯片相关领域的研发能力和技术实力。

下一步,工信部和相关部门将继续加快推进开放发展。引导国内企业、研究机构等加强与先进发达国家产学研机构的战略合作,进一步鼓励我国企业引进国外专家团队,促进我国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业研发能力和产业能力的提升。

工信部表示,为解决工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块等核心部件的关键性技术问题,我部等相关部门积极支持工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块领域关键技术攻关。一是2017年我部推出“工业强基IGBT器件一条龙应用计划”,针对新能源汽车、智能电网、轨道交通三大领域,重点支持IGBT设计、芯片制造、模块生产及IDM、上游材料、生产设备制造等环节,促进IGBT及相关产业的发展。二是指导湖南省建立功率半导体制造业创新中心建设,整合产业链上下游资源,协同攻关工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块领域关键共性技术。三是指导中国宽禁带半导体及应用产业联盟发布《中国IGBT技术与产业发展路线图(2018-2030)》,引导我国IGBT行业技术升级,推动相关产业发展。

下一步,工信部将继续支持我国工业半导体领域成熟技术发展,推动我国芯片制造领域良率、产量的提升。积极部署新材料及新一代产品技术的研发,推动我国工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块产业的发展。

另外,工信部表示,我部与教育部等部门将进一步加强人才队伍建设。推进设立集成电路一级学科,进一步做实做强示范性微电子学院,加快建设集成电路产教融合协同育人平台,保障我国在工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业的可持续发展。


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