台积电2nm工厂2024年量产 与三星、Intel决战GAA晶体管技术

前几天Intel发布了最新的CPU工艺路线图，瞄准2024年的20A工艺也首次亮相，会使用GAA晶体管工艺，Intel推出了RibbonFET及PowerVia两项革命性技术。

接下来是Intel 18A，预计2025年初投产，继续强化RibbonFET，还有下一代高NA EUV光刻，与ASML合作。

Intel决心在半导体工艺上重回领导地位，台积电也面临压力，好消息是他们的2nm工艺Fab20日前获批。

据介绍，Fab20工厂将分为4期厂房逐步动工，前2期厂房预估会在2023年下半年完工并展开装机作业，2024年下半年可望进入量产阶段，2nm工艺4期厂房全部完工量产要到2025～2026年，总月产能将逾10万片规模。

台积电的2nm工艺虽然没有详细规格流出，但也会上GAA晶体管，台积电为此开发了新的nanosheet纳米片技术，可以更好地控制阈值电压(Vt)，波动降低至少15％，将大大改善芯片设计、性能。

除了Intel、台积电之外，三星的3nm工艺工艺也会在2024年左右量产，尽管3nm跟2nm工艺还差了一代，但三星是首个进入GAA晶体管工艺的厂商，依然不容小觑，这三大半导体巨头将在2024年有一场恶战，GAA技术表现如何，三家厂商的表现让人关心。

生成海报

免责声明：本网站内容主要来自原创、合作伙伴供稿和第三方自媒体作者投稿，凡在本网站出现的信息，均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性，但不保证有关资料的准确性及可靠性，读者在使用前请进一步核实，并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏，概不负任何法律责任。任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时，应及时向本网站提出书面权利通知或不实情况说明，并提供身份证明、权属证明及详细侵权或不实情况证明。本网站在收到上述法律文件后，将会依法尽快联系相关文章源头核实，沟通删除相关内容或断开相关链接。