三星宣布五年发展规划:2027年实现1.4纳米工艺量产

10月4日消息(郭睿琦)三星电子于 10 月 3 日在美国加州硅谷召开的“三星晶圆代工论坛&SAFE论坛”上,宣布了一个非常激进的五年发展规划,目标是在 2027 年实现 1.4 纳米工艺量产,并凭借着先进技术吸引美国芯片买家。

三星电子高级副总裁 Moonsu Kang 表示,公司的芯片代工部门(即代工厂)希望在 2027 年将业务营收做到 2021 年的 3 倍。为实现这一目标,该业务将需要取得多项技术飞跃,并在美国外包芯片市场取得进展。

按收入计算,三星是全球最大的芯片制造商,但其代工业务正在追赶台积电,台积电在市场上处于领先地位,生产能力一流。三星最近从台积电争夺到英伟达公司的订单。在订单上,RTX 40 被击败以生产一系列图形卡,这些图形卡以 4 纳米工艺运行。

三星高管在简报会上表示,该公司的产量——每件产品中工作芯片的百分比——现在是业内最好的之一。它正在竞相保持在技术的前沿。该公司的目标是在 2024 年开始量产第二代 3 纳米芯片,然后在 2025 年开始量产 2 纳米芯片,从而引领先进芯片制造的发展。这将为两年后的 1.4 纳米产品奠定基础。

三星向美国客户推销的部分内容是其在美国制造的决定。三星在得克萨斯州奥斯汀拥有一家现有工厂,并正在附近的泰勒市建造一家。该新工厂将于 2024 年开始运营,可能会使用最新的生产方法,例如 3 纳米技术。

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