三星电子P3晶圆厂推迟到明年建成 原计划今年年内建成

11月14日消息(郭睿琦)据外媒报道,三星电子计划在年底全面建成的P3晶圆厂,建设延期,将推迟到明年建成。

外媒是根据知情人士的透露,报道三星电子P3晶圆厂的建成时间推迟的。

从知情人士透露的消息来看,三星电子在10月底,才开始建设晶圆厂的洁净室,NAND闪存生产线的建设,也因此被推迟了一个月。

在推迟之后,三星电子这一工厂NAND闪存生产线的洁净室,预计在明年一季度建成。

知情人士还透露,NAND闪存生产线的建设推迟一个月,也影响到了晶圆厂其他阶段的建设,将相应的推迟。

三星电子P3晶圆厂,是他们到目前为止建设的最大的晶圆厂,在2020年年中开始建设,占地70万平方米。

建成时间推迟到明年的三星电子P3晶圆厂,是混合型的晶圆厂,既生产存储芯片,也生产逻辑芯片。

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