三星联手英伟达密谋12层HBM3E芯片供应 存储技术或迎重大突破

三星DS部门负责人全永铉近日访问英伟达美国总部,双方就12层HBM3E内存供应合作展开洽谈,目标为英伟达下一代GB300 Blackwell Ultra GPU提供关键存储解决方案。据业内消息,英伟达已与SK海力士及美光达成12层HBM3E的初期供货协议,Blackwell Ultra预计将于2024年底正式出货。值得注意的是,英伟达暂缓签署2026年HBM3E长期供应合约,业界解读此举旨在通过引入三星作为第三供应商,增强其在供应链议价中的主动权。若三星成功通过验证,三足鼎立的竞争格局或将显著改善英伟达的采购成本结构。目前,12层HBM3E技术已成为AI芯片军备竞赛的核心战场,其堆叠密度与带宽性能将直接决定下一代GPU的市场竞争力。(完)

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2025-07-01
三星联手英伟达密谋12层HBM3E芯片供应 存储技术或迎重大突破
三星DS部门负责人全永铉近日访问英伟达美国总部,双方就12层HBM3E内存供应合作展开洽谈,目标为英伟达下一代GB300 Blackwell Ultra GPU...

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