三星和韩科院已就FinFET技术专利诉讼达成和解

据韩媒TheElec报道,三星和韩国科学技术院(KAIST)已就FinFET技术专利诉讼达成和解。

图源:TheElec

据悉,涉案的FinFET专利允许芯片在提高性能的同时降低功率,最初由KAIST和首尔国立大学教授Lee Jong-ho合作开发,并于2001年在美国和韩国获得了该项技术的专利。

KAIST于2016年11月29日在美国德克萨斯州地方法院对三星、高通和Global Founderies提起诉讼,指控他们在未经许可的情况下使用了其FinFET专利。2018年6月,陪审团裁定三星的侵权金额达4亿美元。

此外,KAIST于2019年2月再次起诉三星,声称尽管有之前的判决,三星仍在继续侵犯专利。并指出三星在其应用处理器中使用的14、11、10、8和7nm FinFET技术侵犯了其专利,将三星自2016年起推出的智能手机列为侵权产品。

今年2月,法院裁决三星赔偿2亿美元。不过现在三星和KAIST已达成和解,交易的详细条款还尚未得知。

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