台积电1nm以下制程取得重大突破,已发表于Nature

台积电今日联合台大、麻省理工宣布,在 1nm 以下芯片方面取得重大进展,研究成果已发表于 Nature。

该研究发现,利用半金属铋 Bi 作为二维材料的接触电极,可以大幅降低电阻并提高电流,实现接近量子极限的能效,有望挑战 1nm 以下制程的芯片。

据介绍,该发现是由麻省理工团队首先发现的,随后台积电将“易沉积制程”进行优化,而台大电机系暨光电所教授吴志毅团队则通过氦离子束微影系统”将元件通道成功缩小至纳米尺寸。

IT之家此前报道,IBM 在 5 月初首发了 2nm 工艺芯片,与当前主流的 7nm 芯片相比,IBM 2nm 芯片的性能预计提升 45%,能耗降低 75%。

不过业界人士表示,由于 IBM 没有先进逻辑制程芯片的晶圆厂,因此其 2nm 工艺无法很快落地,“弯道超车”也比较困难。

极客网企业会员

免责声明:本网站内容主要来自原创、合作伙伴供稿和第三方自媒体作者投稿,凡在本网站出现的信息,均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性,但不保证有关资料的准确性及可靠性,读者在使用前请进一步核实,并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏,概不负任何法律责任。任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时,应及时向本网站提出书面权利通知或不实情况说明,并提供身份证明、权属证明及详细侵权或不实情况证明。本网站在收到上述法律文件后,将会依法尽快联系相关文章源头核实,沟通删除相关内容或断开相关链接。

2021-05-18
台积电1nm以下制程取得重大突破,已发表于Nature
台积电1nm以下制程取得重大突破,已发表于Nature,台积电今日联合台大、麻省理工宣布,在 1nm 以下芯片方面取得重大进展,研究成果已发表于 Natur

长按扫码 阅读全文