11月15日消息（南山）国内光器件行业龙头企业光迅科技，日前发布《非公开发行股票预案》，拟向公司实际控制人中国信科集团在内的符合中国证监会规定条件的不超过35名特定对象(含35名)非公开发行合计不超过139,964,983 股(含本数)A股股票，拟募集资金总额不超过人民币194,511.36万元(含194,511.36万元)。
其中，公司实际控制人中国信科集团同意以现金方式认购本次非公开发行股票，认购比例不低于本次非公开发行股份总数的 10%，且不超过本次非公开发行股份总数的20%。
光迅科技表示，公司本次非公开发行募集资金投向围绕公司现有主营业务，分别投向高端光通信器件生产建设项目与高端光电子器件研发中心建设项目，有利于公司优化产品结构，扩大主营业务产能，优化研发环境，增强研发能力，助力公司“十四五” 战略目标的实现，推动公司长期可持续发展。
而中国信科集团通过本次交易参与认购本公司非公开发行股票，体现出控股股东、实际控制人对本公司未来发展的信心及对本公司支持的决心，同时也对公司的未来发展提供了有力资金支持，有利于提升公司投资价值，进而实现公司股东利益的最大化，切实维护公司中小股东的利益。
其中，高端光通信器件生产建设项目，总投资约12.85亿元，拟投入募集资金约10.86亿元；高端光电子器件研发中心建设项目，总投资约8.8亿元，拟投入募集资金约8.6亿元。项目介绍如下：
单位：万元
高端光通信器件生产建设项目：
该项目拟在武汉市东湖新技术开发区综合保税区新建 67,874.00 平方米厂房及配套设施，其中预留 10,000.00 平方米的面积，另购置 65,727.75 万元先进生产设备，投产后形成年产 5G/F5G 光器件 610.00 万只、相干器件、模块及高级白盒 13.35 万只、数通光模块 70.00 万只的规模。
项目建设期为 2.5 年。项目建设完成后，将有助于提升公司生产能力，解决公司产能瓶颈，升级工艺平台及封装能力，提升高端产品供货能力，充分满足客户交付要求，逐步扩大市场份额，增强自身盈利水平，巩固公司在行业内的领先地位。
高端光电子器件研发中心建设项目：
该项目拟建设研发办公场地 6,240 平方米，研发实验室 27,800 平方米，预留面积 10,000 平方米，从总部调配 180 名研发技术人员，另引进 600 名研发技术人员，建设国内先进、与公司发展相匹配的研发中心。
项目建设期为 3 年。本项目本项目与国家战略发展总体需要相结合，针对我国信息光电子产业领域“卡脖子”的关键核心技术补短板,积极进行接入类光器件、传输类光器件、数通类光器件等产品前沿技术的研发与探索,重点开发硅基光电子先进封装工艺、硅基光电子产品、50G PON技术、波长选择开关(WSS)、超宽带放大器等相关核心技术及先进工艺，以解决相关技术难题。
光迅科技在公告中介绍，本次发行前，烽火科技集团有限公司持有光迅科技41.65%的股份，系公司控股股东；武汉邮电科学研究院有限公司持有烽火科技92.69%股权；中国信科集团持有邮科院100.00%股权，系公司实际控制人。中国信科集团是国务院国资委直属中央企业。
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