三星电子已下单新型先进芯片制造设备

（悻眓/文）三星电子已经下单购买了一种新型先进的芯片制造设备，旨在增加其高带宽内存（HBM）芯片的生产产量，以赢得人工智能处理器制造商NVIDIA的业务，路透社报道。

据路透社援引多个消息来源称，这家韩国芯片制造商将采用首次由竞争对手SK Hynix使用的大规模再流焊模制封装（MR-MUF）技术，以提高其HBM芯片的产量。由于正在进行测试，使用新方法的大规模生产最早要到明年才能开始。

三星否认正在转换技术，声称目前的非导电膜（NCF）方法是“最佳解决方案”，将用于制造新的HBM芯片。

但消息人士告诉路透社，三星将在未来的高端芯片中同时使用两种技术，指出使用NCF的最新HBM芯片的产量为10%到20%，而SK Hynix的产量为60%到70%。

据报道，三星正在讨论从各种供应商那里采购MUF材料，包括日本的Nagase。

该公司在去年年底表示，已经开始向客户提供其最新的HBM芯片，HBM3E样品，预计今年上半年将开始大规模生产。

TrendForce在去年年底表示，其研究显示Nvidia计划多样化其HBM供应商，以实现“更健壮和更有效的供应链管理”。

在一月底的财报电话会议上，SK Hynix首席财务官Kim Woohyun强调了该公司在2023年第四季度收入的显著增长，他将其归功于其在人工智能内存领域的“技术领先地位”。

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