台积电3nm制程工艺量产计划较三星电子晚近半年

12月26日消息，据国外媒体报道，在风险试产近一年之后，晶圆代工商台积电的3nm制程工艺，也即将开始商业化量产。

从相关的报道来看，台积电计划29日在晶圆十八厂举行仪式，3nm制程工艺届时将正式开始商业化量产。

作为台积电旗下6座12英寸超大晶圆厂之一的晶圆十八厂，一期是在2018年的1月份正式动工建设的，建成之后用于5nm制程工艺的量产，因而这一晶圆厂也是台积电5nm制程工艺的主要生产基地。

而随着3nm制程工艺的商业化量产，未来一段时间晶圆十八厂就将是台积电先进制程工艺的主要生产基地，也将是他们主要的营收来源。

台积电的3nm制程工艺在本月29日开始商业化量产，也就意味着他们的这一先进制程工艺，在量产的时间上较竞争对手三星电子晚了近半年。

在3nm制程工艺上，台积电和三星电子是不同的路线，三星电子率先采用全环绕栅极晶体管架构，台积电则是继续采用鳍式场效应晶体管（FinFET）架构。三星电子在6月30日，就已开始采用3nm制程工艺为相关的客户代工晶圆，首批产品在7月25日就已出货。

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