SK海力士开发出新HBM3E内存：用于AI行业

8月21日消息，SK 海力士 21日宣布，成功开发出面向 AI 的超高性能 DRAM 新产品 HBM3E，并开始向客户提供样品进行性能验证。

HBM（High Bandwidth Memory）是指垂直连接多个 DRAM，可显著提升数据处理速度，HBM DRAM 产品以 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发。HBM3E 是 HBM3 的扩展（Extended）版本。

SK 海力士表示，新品最高每秒可以处理 1.15TB（太字节）的数据。其相当于在 1 秒内可处理 230 部全高清（Full-HD，FHD）级电影（5 千兆字节，5GB）。将从 2024 年上半年开始投入 HBM3E 量产。

SK 海力士技术团队在该产品上采用了 Advanced MR-MUF 最新技术，其散热性能与上一代相比提高 10%。HBM3E 还具备了向后兼容性（Backward compatibility），因此客户在基于 HBM3 组成的系统中，无需修改其设计或结构也可以直接采用新产品。

据悉，新产品将用于英伟达的新一代 AI 计算产品。

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