三星电子突破DRAM技术瓶颈 新结构助力HBM4量产
据极客网报道，三星电子近日成功开发出新型DRAM结构，在面积、散热及传输效率方面实现重大突破。该技术将应用于1c DRAM制程，并计划于下半年投入HBM4生产。
据悉，新结构设计显著改善了芯片的功耗表现和信息传输效率，同时有效控制了发热问题。目前采用该技术的DRAM生产良率已突破60%大关，三星正持续优化工艺以进一步提升良率。
行业观察人士指出，这一技术突破将强化三星在高端存储市场的竞争力。公司已启动与客户的联合测试，为即将到来的HBM4量产做准备。此次创新有望为AI、高性能计算等领域提供更优质的存储解决方案。
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