手机不充电也能用一周?三星联合IBM推出新型芯片晶体管

近日,IBM和三星公布了一种新的半导体芯片设计,自称这种设计可以延续摩尔定律。这一突破性的架构将允许垂直电流流动的晶体管嵌入到芯片上,从而产生更紧凑的设备,并为智能手机长周期运行等铺平了道路。

据悉,新的垂直传输场效应晶体管(VTFET)设计旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的FinFET技术,从本质上讲,新设计将垂直堆叠晶体管,允许电流在晶体管堆叠中上下流动,而不是目前大多数芯片上使用的左右水平布局。

根据IBM的说法,这种新的垂直结构允许在空间中装入更多的晶体管,同时还可以影响它们之间的接触点,以提高电流并节约能源。该公司表示,该设计可能会使性能翻倍,或者减少85%的能源消耗。

IBM已经生产了带有这种新的VTFET架构的测试芯片,并设想它在许多领域扮演着改变游戏规则的角色。随着物联网的持续发展,这些芯片可以让海洋浮标和自动驾驶汽车等设备以更少的能源运行,并可能对加密货币挖矿等能源密集型计算过程产生类似的影响,降低其碳足迹。

此外,根据IBM的说法,它还可以让宇宙飞船更高效,甚至让智能手机电池在不充电的情况下使用一周而不是几天。

IBM研究院混合云和系统副总裁Mukesh Khare博士说,“今天的技术声明是关于挑战传统,重新思考我们如何继续推进社会,并提供新的创新,以改善生活、业务和减少我们的环境影响。”

“考虑到该行业目前在多个方面面临的限制,IBM和三星正在展示我们在半导体设计方面的联合创新的承诺,并共同追求我们所说的‘硬技术’。”他补充说。

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