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IBM 7纳米半导体工艺节点取得跨越式突破

[据IBM公司2015年7月9日报道] IBM公司日前宣布,该公司已经生产出半导体工业首片7纳米工艺节点测试芯片,芯片内包含200亿可以实际工作的晶体管。

为了将半导体技术发展到7纳米工艺节点,使芯片性能更高、功耗更低,IBM公司采用了全新的锗硅沟道晶体管技术和极紫外光刻技术。

该研究是IBM公司2014年启动的投资30亿美元、为期5年的芯片研发计划的一部分,其合作团队包括纽约州立大学、格罗方德公司、三星公司以及多家半导体工艺设备供应商。

目前的微处理器采用22纳米和14纳米工艺技术。IBM公司的这一成就跨越了仍有待进一步成熟的10纳米半导体技术。与10纳米半导体技术相比,IBM公司的7纳米芯片有望实现芯片面积缩小50%,功耗性能比提高50%,将有助于大数据、云计算和移动计算等技术的发展。

IBM公司实现7纳米工艺节点这一里程碑成就,建立在该公司以往对硅和半导体技术一系列创新的基础上。这些创新包括:动态随机存储器、登纳德等比例微缩定律、化学放大式光阻、铜连线、绝缘体上硅、应变工程、多核微处理器、浸入式光刻、高迁移率锗硅材料、高介电常数栅材料、嵌入式动态随机存储器、三维芯片堆叠以及气隙绝缘等技术。(工业和信息化部电子科学技术情报研究所  王巍)

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