SK海力士调整战略重心 暂缓第六代DRAM投资转向HBM
据极客网援引thebell消息，SK海力士决定推迟10nm级第六代DRAM的资本支出计划，将资源集中投向高带宽存储器（HBM）产线。这一战略调整基于当前HBM在AI服务器、高性能计算等领域的明确需求及更高利润率。
行业分析指出，随着AI芯片对内存带宽需求激增，HBM3/E成为供应链争夺焦点。SK海力士作为HBM市场领先者，此次产能倾斜将进一步巩固其技术优势。而第六代DRAM（1b nm制程）的研发节奏放缓，或影响后续LPDDR6等产品的商用化进程。
市场观察人士认为，此举反映了存储巨头在行业下行周期中"保利润、抓增量"的务实策略，但可能加剧DRAM先进制程领域的竞争分化。
免责声明：本网站内容主要来自原创、合作伙伴供稿和第三方自媒体作者投稿，凡在本网站出现的信息，均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性，但不保证有关资料的准确性及可靠性，读者在使用前请进一步核实，并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏，概不负任何法律责任。任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时，应及时向本网站提出书面权利通知或不实情况说明，并提供身份证明、权属证明及详细侵权或不实情况证明。本网站在收到上述法律文件后，将会依法尽快联系相关文章源头核实，沟通删除相关内容或断开相关链接。
