中国科学院上海微系统所与宁波大学团队在《Advanced Functional Materials》发表突破性研究，成功开发出新型双向高导热石墨膜。该材料以芳纶膜为前驱体，通过高温石墨化工艺制备，在40微米厚度下实现面内热导率1754 W/m·K、面外热导率14.2 W/m·K的优异性能。
研究显示，氮掺杂与低氧含量前驱体可显著提升石墨膜结晶质量。在智能手机散热测试中，该材料使芯片表面最高温度降低7℃；在2000 W/cm²高热流密度条件下，芯片表面温差从50℃大幅降至9℃，展现出卓越的温度均匀化能力。
此项技术突破了传统导热膜的性能局限，其独特的双向导热特性为5G芯片、功率半导体等高功率器件提供了革命性的热管理解决方案，有望推动电子设备散热技术迈上新台阶。
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